光化学金属蚀刻有哪些亮点

光化学金属蚀刻（Photo Etching)是通过曝光、显影后，将金属蚀刻区域的的保护膜去除，在金属蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果，相比光刻、冲压等加工手段，更易操作、成本更低廉。

光化学金属蚀刻最早用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地应用于减轻重量(Weight Reduction)仪器镶板、铭牌及传统加工法难以加工的薄形工件等加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。

化学蚀刻是指通过化学反应对暴露部分进行腐蚀清除，光蚀刻是使掩膜后的暴露部分通过光化学反应清除掉，后续加工还用到其它方式进一步腐蚀。

随着电子技术的发展，越来越多需要许多几何形状复杂、精密度要求高而机械加工难以实现的超薄形工件，而光化学蚀刻方法却易达到部件平整、无毛刺、图形复杂的要求，且加工周期短、成本低。它的化学原理是利用三氯化铁水溶液作为腐蚀剂与金属反应：

2FeCL3+Fe=2FeCL2

2FeCL3+Cu=CuCL2+2FeCL2

在氯离子和氧化剂共存的条件下就可以发生金属腐蚀。FeCL3作为一种较强的氧化剂，其腐蚀作用取决于Fe3++e→ Fe2+反应的氧化还原电位（0.77V），加之溶液中含有大量的氯离子，且PH值低、酸性强，所以对金属有强烈的腐蚀倾向。

在更多的场合所指的都是金属与周围环境介质接触，并与之发生化学或电化学作用而引起的破坏、变质所导致的金属化学损失行为。蚀刻液中的蚀刻过程，首先是在金属零件表面发生晶粒的溶解作用；其次在晶界上也发生溶解作用，晶界是以不同于晶粒的溶解速度发生溶解速度发生溶解作用的。金属表面存在着电位差，电位正的地方得到暂时的保护，电位负的地方被优先蚀刻。